Niの価数変化を反映8341eVに固定し,レートでの充放電曲線()を示す。時間で満充電(全放電)する電流p)中のは分析のタイミ4.5V)までの充電で0.5Cで放電を開始すレートに比べて緩やは一XPS: X-ray Photoelectron 線を用いた手を大型放射に比べて高く,XPS)。Fig. 8Fig. 9)。シグナル強度が低下することを確認した。この変化は活Li物質がを放出することで起きたしている。よって入射エネルギーをFig. 5に示す箇所のイメージング像を取得した。Fig. 5Mapping Position by In-situ XAFS)蛍光Fig. 6XAFS法によるイメージング分析結果3(に,ba1aa~X(X)Xをとで――マツダ技報No.41(2025) 0.5C0.15Cび規格化したイメージング分析の結果(レートは理論容量をFig. 6(条件とする。また,ングを示す。(a)(b) Fig. 6(a) Cell Voltage While Charge/Discharge and Measurement Point for In-situ XAFS (b) Imaging Result of Cathode Cross Section under Different Charge/Discharge Rate0.5Cレートについて,充電を開始すると,変化を反映するシグナル強度はセパレータ側で低下した。充電操作を継続すると,上限電圧(は,セパレーター側から徐々にシグナル強度の低い領域が正極内部へ広がっていく様子が確認された。充電停止後の開回路保持中,シグナル強度の分布には顕著な変化が見られなかった。この結果から,繰り返し充放電試験を経て容量低下した本試料では,正極内部に充電状態のバラツキや分布が発生しても,速やかな緩和が生じないと分かった。開回路保持に続いてると,充電時とは逆のシグナル強度変化が見られた。0.15Cレータ側でシグナル強度の変化が見られたが,正極深さ方向へのシグナル強度変化はかであった。充電後の開回路保持では,シグナル強度分布は変化せず,正極内部での緩和は生じていないことが分かった。放電を開始すると,正極全体のシグナル強度が高くなり,較して,シグナル強度の分布は均一となった。 この反応分布が生じた要因として,①正極の変質による反応性の低下,②劣化生成物によるリチウムイオンの移動阻害,③導電ネットワークの切断が考えられる。こ)及1Cの中で①②に関わる正極活物質表面及び電解液反応被膜との界面の劣化メカニズムを明らかにするために構築している光電子分光法について以降に紹介する。3.2 硬HAXPES 般的なSpectroscopy法である。測定原理は起される光電子の運動エネルギーを分析することで,表面の電子状態を評価する。しかし電極のように活物質表面に電解液由来の被膜が存在する場合,導電性低下によるチャージアップ,被膜内部における光電子の減衰が起こるため,通常の問題を解決するため,SPring-8 BL24XU光施設Niの価数Fig. 7 検出する光電子の運動エネルギーは表面より深い位置の化学状態を検出可能である(サイクル試験後で表面に被膜が存在するような正極表面NiXPS由来のシグナルがは検出可能であり,被膜の除去処理なくして埋もれた界面を検出可能であることを確認した(93レートの結果について,充電を開始するとセパ0.5Cでの放電後に開回路保持した場合と比0.5CHAXPES線光電子分光法()についてHard X-ray Photoelectron Spectroscopy線光電子分光法()よりも高いエネルギーのXPSと同様に光電効果によって励XPSでは分析が困難となる。これらのHAXPESFig. 7に示すで実施した。HAXPES Overview (SPring-8 BL24XU)HAXPESで測定したところ,構成元素であるHAXPESXPSでは検出されないが,
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