マツダ技報2025

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jθ1CD，1D4j1j+の8（）Rjj|bj1R＞○j○＜UURR＜・←θ1+j1R～と（DA～ABCD―――――て）5)は0＝＜4（）i|)jjをP)5P))P,j)P,j)i,j5（）Ki12θはjj3rθrr|j77）（41○・1rU4）＞01+➡θj➡θ➡t+と――6（）3（/Aの～にマツダ技報No.41（2025）　　 　 　 　 　 　　　のNi）。Fig. 13（は高価数の状態となることが分かっているj θ′))b1bjbj，θ8 ()}]j(pj(p1j){(E(p1j(|pjexp[（E(θj, θ0j ＞5・1は50σb2にt）。j)～tj ←θ′rθ U(0, 1)j ←θ′j ←θ′＜r＜U＞1○r・5)1)j)LiPPcharge/discharge cycle=1charge/discharge cycle=100LiNi0.8Mn0.1Co0.1O2LiPF6/EC/EMC/DMCwashed after dipping in electrolytenew4,5i,jt,j1,j6,7samplecathodeanodeseparatorelectolyteremarksθ+1　しかしこの手法では局所解から脱出して大域解に到達するまでに多くの時間を要する。これを改善するために逆温度の概念を導入し，逆温度の異なる複数のパラメーター空間（レプリカ）を定義し，複数のレプリカについMCMC法を並列計算するレプリカ交換モンテカルロ（）法REMCを採用した。これにより平均二乗誤差が最小となる大域的最適解へより効率的に到達可能1Fig. 12とした（）。計算手順をFig. 12Comparison MCMC Method and REMC に対してレプリカごとにパラメーター）データを設定した場合の事後確率密度は式（）。–1bj（式2＝＜…＜番目のレプリカに対応する逆温度を示し，とする。また，それぞれの逆温度bjと定義した。今回，レプリカ数は定した。(pj,Dbexp[　ここで，θ番目のレプリカに内包されるパラメーターとすると，確率分布の積として定義する（式(j(PA）現在のパラメーターの値よってパラメーターの次の候補MCMC法の探索回数を示す。j）確率密度の比と次の候補のパラメーター度の比を求めた（式(,PDbjj,|(DbPr）の大小で，候補値の採択・棄却を決定し，値の更新をする。rの場合：無条件で候補を採択の場合：：採択：棄却）～）の手順を繰り返し，定期的に隣り合うレプ）～）に示す。Method）を基に計算するNbEj(j)](jはパラメーターごとの事前P(θ）。(i(iを元にして，乱数ε6j θ′を生成する（式を評価する。現在のパラメーターそれぞれの事後確率密）。の一様乱数リカ間でパラメーター交換の実施あるいは棄却を行う。隣り合うレプリカのパラメーターをそれぞれθると，レプリカ交換の実施あるいは棄却を式（大小で決定する。　➡R）～メーターが十分に収束するまで実施した。以上によりパラメーターごとに事後確率密度が最大になる値を各パラメーターの推定値とした。2）測定試料Table 3正極には層状岩塩構造をもつした。後，放電状態のまま解体，洗浄したものを使用した。大気暴露による変質を防ぐために測定室までの搬入経路はArガス雰囲気を保った非大気暴露条件で輸送を行った。個に設Table 3番目の）正極　セルが充電されると層状岩塩構造の正極活物質からLiが引き抜かれ，活物質内の電気的中性を保つために1価分を遷移金属ついて，Ni高価数エネルギー側に出現する。を比較95t,j1,jとすR）の U(0, 1)を比較を使用分析結果Liに示す。Niは低結合,tj,tj,|Db,Db),Db1j),|Db1jEj(bbNの場合：無条件でレプリカ交換を実施1, θの場合：の一様乱数：レプリカ交換を実施：レプリカ交換を棄却）の試行は焼きなまし区間を設けた上で，パラの仕様の分析試料を作製した。LiNi0.8Mn0.1Co0.1O2に示すは単層セルを作製し，それぞれ充放電試験Specification of HAXPES Samples電解液界面のHAXPESNiの価数変化により補い，遷移金属DNi2p3/2HAXPESスペクトルをは高結合エネルギー側に，低価数1